因为地缘政事等各式成分的影响伪娘 拳交，半导体拓荒的宽恕度在畴前几年飙升。

四肢芯片供应链上的首要一环，芯片拓荒关于芯片的首要性无用置疑。尤其是跟着芯片工艺的握续演进，对芯片拓荒提倡的要求更是突飞猛进。可是，从商场方法来看，制造芯片的这些拓荒大多皆是铁心在外洋企业手里。当中不少拓荒更是由少数几家企业支配。在这种情况下，留给晶圆厂可议价的空间就未几了。

更有甚者，跟着连年来场地保护主见盛行，发展芯片拓荒就成为好多地区的伏击需求。尤其是在国内，更是责无旁贷。连年竖立的新凯来，以成为天下一流的半导体拓荒提供商为标的，力求成为这个赛说念的主要参与者。

竖立于2022年的新凯来总部位于深圳，在上海、北京、西安、武汉、成皆、杭州等国内城市以及外洋设有研发中心，开发了基础材料工艺-零部件-装备的端到端研发体系。公司死力于先进半导体工艺装备、量检测装备的开发与制造，打造可靠的产业基础和平台，成为天下一流的半导体装备提供商和客户最相信的伙伴。

在本年Semicon China同期举办的IC产业链国际论坛-制造拓荒与制程分论坛上，新凯来工艺装备居品线总裁杜立军发布了题为《半导体工艺装备的机遇与挑战》的演讲，共享了他对半导体拓荒的想法以及新凯来仍是推出的滥觞半导体拓荒和将来瞻望。

与此同期，新凯来还在本年的Semicon China现场承接发布了三十款傍边的新品，涵盖了量检测、EPI、ETCH、CVD、PVD和ALD等多个领域。

一代工艺，一代材料，一代装备

芯片是东说念主类历程中一颗妍丽的明星，这是一个任何东说念主皆不会抵赖的事实。而在畴前数十年的发展中，芯片梗概越作念小，且能越作念越强，背后就少不了晶体管架构升级带来的匡助。从Planar到FinFET，再到GAA，晶体管的结构越来越立体，尺寸越来越小，但芯片承载的晶体管数目从数十亿跃升至数百亿半导体，这就给芯片的制造工艺带来前所未有的挑战。

杜立军在演讲中也提到：“每一代半导体器件的演进，围绕着PPAC的性能筹画的普及。跟着行业进入到先进工艺时期，半导体制造行业主要围绕着晶体管的尺寸微缩和RC delay这两个方面来治理问题。”

举例在PI工艺方面，跟着工艺的演进，催生了更小尺寸、更富贵宽比和更高浓度需求，这就给外延工艺的选用性、扩散及描绘管控带来新挑战；在ETCH工艺方面，所面对的精细化、多向性和高纵深要求突飞猛进；来到介质薄膜千里积工艺方面，也靠近材料多元化、高台阶粉饰率和高刻蚀选用比的繁重；金属互连工艺的演进也要求领有更小的重要尺寸和更高的RC挑战；金属CVD时期也给新材料和高选用性千里积提倡了伏击需求；ALD（HKMG）时期的演进，也幸免不了更小CD、更高成膜质地及台阶粉饰率挑战。

上述各样皆是芯片先进工艺演进弗成冷漠的问题。

杜立军在演讲中则追忆说，针对上述问题，主要有三个治理旅途，辞别是新材料、先进光刻+非光补光和3D架构。尤其是在靠近面前先进光刻机在国内被禁的近况，非光补光的首要性了然于目。诸如多重曝光、自瞄准和选用性千里积等时期，便是为了冲突这个镣铐而作念的选用。

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“可是，因为这些时期的应用，会在先进工艺演进中，给经过工艺通说念加多20%，进而给良率和拓荒的工艺窗口等带来新的检修。”杜立军接着说。“于是，咱们需要围绕着更高的能量铁心精度（等离子体/解放基精确铁心）、更快的硬件相应速率（气体/能量铁心快速切换）和更大的工艺窗口（腔体环境快速庄重）来打造新装备时期。”杜立军强调。“新凯来也坚忍不拔，打造多基础才调，相沿装备改进，理财挑战。”

杜立军表露，围绕着工艺窗口这一系列问题，除了从架构上发力除外，还不错酌量如何应用东说念主工智能调优来普及效果。而要竣事这些，则需要从硬件和算法上参预。这恰是新凯来打造了一个粉饰原子的物理模子到腔式化学响应模子仿真软件的原因。在软件除外，新凯来还在射频源、滤波器等器件上发力，接力从底层硬件滥觞，加快面向将来的半导体装备遐想。

“在半导体拓荒方面，新凯来在系统架构、硬件、器件和算法方面全民布局。”杜立军暗示。

他进一步指出：新凯来的遐想理念是“一代工艺，一代材料，一代装备。”

为了竣事这个标的，新凯来构建了培源（等离子体）、热经管、流体铁心、装备智能化、光源等10多个基础LAB，为半导体工艺握续演进筑牢褂讪根基。固然，四肢一家志存高远的拓荒新贵，新凯来还坚握正向遐想的运营念念维，进行全链路垂直整合以提供扩散、刻蚀、薄膜等系列半导体先进工艺装备以及光学、物理、X射线、功率检测等系列量检测装备。

这种不务空名的运营形式，让竖立三年多的新凯来得到了累累硕果。

在居品方面，杜立军在演讲中先容说，新凯来的扩散、刻蚀和薄膜三大类居品已支握量产，应用粉饰了先进逻辑和存储。除此除外，在这次展会上，新凯来还带来了多款量检测装备，这不管关于新凯来照旧中国半导体拓荒来说，皆是一个了不得的丰碑。

四大类，三十款傍边拓荒

从上头的先容咱们不错看到，新凯来在本届Semicon China上带来的四大类（扩散、刻蚀、薄膜和量检测）居品展示涵盖了EPI、RTP、ETCH、CVD、PVD、ALD、光学量检测、PX量测和功率检测应用在内的三十款傍边拓荒。

滥觞看扩散类居品，新凯来带来了EPI和RTP拓荒各三台。其中，EPI居品系列定名为“峨眉山”，RTP系列定名为“三清山”。

据先容，新凯来推出的“峨眉山”系列是12英寸单片减压外延助长拓荒，接受改进架构遐想，全面粉饰逻辑及存储外延等应用场景，支握向将来先进节点演进。这次带来的该系列前三款居品辞别是针对锗硅外延、磷硅外延以及沟说念&超晶格&埋层外延，能为相应的客户提供更好的支握。

“三清山”系列的头三款居品则是针对不同应用的RTP拓荒。当中“三清山1号”是12英寸单片栅极氧化/氮化拓荒，粉饰氧化/氮化/退火等逻辑及存储应用场景，具备精确温度铁心和等离子体铁心才调，相沿先进工艺握续演进。在骨子应用中，梗概为浅沟槽氧化，栅氧助长，高K材料退火，钛硅化物退火，ALD栅氧空洞化等坐褥经过提供可靠的支握。

三清山2号则是12英寸单片超快尖峰退火拓荒，能粉饰尖峰退火/超快尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备大行程磁悬浮升降盛开铁心及背照式退火才调，相沿先进工艺握续演进。具体而言，则能为轻掺杂源漏退火，源漏退火，高K材料盖帽层退火等提供支握。

三清山3号则是12英寸单片均温/尖峰退火拓荒，能粉饰均温退火/尖峰退火等逻辑及存储应用场景，为深N阱退火，源漏退火，钴硅化物退火，镍硅化物退火等具备低热预算调控及超低温退火才调的工艺提供支握，相沿先进工艺握续演进。

来到刻蚀居品线的武夷山系列，首批发布的相通也包括三款居品，辞别是12英寸精细介质刻蚀拓荒武夷山1号 MASTER、12英寸精细硅/金属刻蚀拓荒武夷山3号以及12英寸高选用性刻蚀拓荒武夷山5号。

滥觞看武夷山1号 MASTER，这是一款电容耦合等离子体（CCP）干法刻蚀拓荒，腔室接受全对称架构遐想，整机可树立6个工艺腔（PM），知足先进节点各样精细介质刻蚀场景需求。具体而言，这款拓荒梗概为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料提供斗争孔刻蚀、硬掩膜刻蚀和双大马士革工艺等支握。

武夷山3号为电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀拓荒，接受全对称、高流导架构遐想，整机可树立6个工艺腔（PM），知足先进节点各样精细硅及金属刻蚀场景需求。具体而言，则能为硅、锗硅、氧化钛等材料提供栅极刻蚀、多重图形和鳍刻蚀等工艺支握。

武夷山5号则为解放基干法刻蚀拓荒，氧化硅及硅选用性刻蚀组合治理有筹画，接受单腔遐想，整机可树立6个工艺腔（PM），梗概为硅、锗硅、氧化硅和氮化硅等材料提供伪栅去除、无定形硅去除以及源漏极回刻等工艺支握，知足先进节点高选用性刻蚀场景需求。

在本届Semicon China上，新凯来还带来了涵盖了PVD、ALD和CVD在内的三个系列共八款薄膜拓荒。其中，PVD拓荒定名为普陀山系列，首批推出了三款拓荒。ALD则定名为阿里山系列，首批相通包括了三款居品。定名为长白山系列的CVD居品则推出了两款新品。

滥觞看专注于PVD的普陀山系列居品。据先容，普陀山1号是12英寸金属平面膜千里积拓荒，适用于逻辑、存储及先进封装等主流半导体金属平面膜应用场景，镀膜均匀性高，同期具备高产能与高庄重性。

普陀山2号则是12英寸中说念金属斗争层及硬掩膜千里积拓荒，适用于逻辑、存储等主流半导体中说念金属斗争层及硬掩膜等应用场景，颗粒缺陷低，同期具备高性能与高庄重性。

12英寸后说念金属互连千里积拓荒普陀山3号则适用于逻辑、存储和先进封装等主流半导体后说念金属互连场景，架构滥觞，填孔品性优异，支握向将来先进节点演进。

来到ALD方面，则包括了阿里山1号、阿里山2号和阿里山3号三款居品。其中，阿里山1号是12英寸高保形性介质薄膜原子层千里积拓荒，搭配五边形平台和Twin腔滥觞架构，粉饰先进逻辑/存储前中后段介质薄膜应用场景，知足图形化，超薄薄膜，超富贵宽比gap fill需求，支握向将来先进节点演进。

阿里山2号则是12英寸介质刻蚀抵触层薄膜千里积拓荒，具备备单腔4-Station滥觞架构，适用于氮化铝和氧化铝等材料的先进逻辑刻蚀抵触层薄膜应用场景，支握向将来先进节点演进。

阿里山3号则是12英寸富贵宽比金属栅极原子层千里积拓荒，可全面粉饰逻辑和存储金属原子层千里积应用场景，具备改进架构和滥觞性能，多种工艺高度集成，金属栅极全场景粉饰，支握向先进节点演进。

长白山系列则是新凯来的PECVD居品线。当中，长白山1号是12英寸介质薄膜千里积拓荒，具备单腔4-Station滥觞架构，全面粉饰逻辑及存储介质薄膜多种工艺，支握向将来先进节点演进；长白山三号是12英寸高保形性&选用性金属薄膜千里积拓荒，全面粉饰逻辑和存储金属化学气相千里积应用场景，具备改进架构和滥觞性能，多种工艺高度集成，支握向将来先进节点演进。

在展会现场，新凯来还带来了包括明场缺陷检测BFI（岳麓山）、暗场缺陷检测DFI（丹霞山）、名义缺陷检测PC（蓬莱山）、空缺掩模缺陷检测MBI（莫干山）、套刻量测DBO（天门山）和IBO（天门山）、原子力显微镜量测AFM（沂蒙山），X射线类量测的XPS（赤壁山-XP）、XRD（赤壁山-XD）和XRF（赤壁山-XF）以及RATE-CP、RATE-KGD和RATE-FT等在内的多款量检测拓荒。这些居品也皆不绝量产，完成考据，或者进入客户端考据。

写在终末

从数据来看，半导体拓荒锦绣前景。但关于中国半导体拓荒产业来说，机遇和挑战并存，这亦然一个产业共鸣。

杜立军先生在今天的演讲中开始中更是平直发出灵魂拷问：“中国的半导体装备产业，到底能给咱们的半导体发展孝敬若何的份额？咱们能以若何的时期力量股东整个产业通盘特出？这是咱们不朽追求的命题。”

“对物理极限的探索，是半导体东说念主不朽的追求，亦然星辰大海，新凯会摄取以时期为本的初心，瞻望和互助伙伴联结改进、协同共赢，为客户提供一个新的选用。”杜立军说。“死力于先进半导体工艺装备、量检测装备的开发与制造， 打造可靠的产业基础和平台，成为天下一流的半导体装备提供商和客户最相信的伙伴，是新凯来追赶的标的。” 杜立军重申。

本文作家：李寿鹏，来源：半导体行业不雅察，原文标题：《新凯来颠簸亮相伪娘 拳交，奋斗成为天下一流半导体装备提供商》

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